6月11日夜间，银河微电发布公告，公司正筹划通过发行股份购买恒泰柯半导体（上海）有限公司（下称：“恒泰柯半导体”）100%的股权，同时募集配套资金。

　　公告显示，因本次交易尚处于筹划阶段，存在不确定性，公司股票自2026年6 月12日（星期五）开市起开始停牌，与此同时，公司可转换公司债券自2026年6月12日（星期五）开市起开始停牌及暂停转股，预计停牌时间不超过10个交易日。

　　银河微电表示，经初步测算，本次交易整体上预计不构成重大资产重组但构成关联交易，本次交易不会导致公司实际控制人发生变更，不构成重组上市。

　　据介绍，恒泰柯半导体是一家功率半导体设计生产商，致力于中高压的半导体电源管理器件、功率半导体MOSFET（三极管）的设计、制造及销售，为用户提供充电器开关、半导体充电器同步整流等产品。

　　股权结构方面，恒泰柯半导体注册资本3969.46万元，是上海致能恒芯工业电子有限公司的全资子公司。

　　从发展历程来看，恒泰柯半导体于2014年设立于上海；2018年，该公司开发的第二代SGT HHGrace MP Gen2 PSMC实现投产，同年该公司完成A轮融资，投资方为武岳峰资本；2020年，公司开发第三代HHGrace MP Deep SGT PSMC MP Gen3，并完成B轮融资，投资方为光速中国，武岳峰资本。

　　2022全年，恒泰柯半导体销售额达430万美元，在随后的2023年3月，该公司加入上海致能工业电子集团团队，成为旗下专营高端功率半导体器件公司。

　　据了解，恒泰柯半导体核心团队人员都有15年以上半导体研发和管理经验。该公司CEO王飞于南加州大学博士毕业后加入AOS创业团队，目前负责MOSFET.SJ.IGBT 设计，产品，应用，和产品定义。Design罗志云博士毕业在Visbay Siliconix，10年间从事MV SGT MOSFET, SJ 的前沿设计和研发。

　　恒泰柯半导体是中压SGT MOSFE领域的专精企业，官网显示，该公司已研发出国内首创SGTMOSFET产品平台，现有700余款产品。已取得多个SGT MOSFET，高压超晶节（SJ），IGBT和氮化镓的美国专利，广泛应用在各类电源、锂电池保护、无刷电机、新能源E-car（OBC、电控）等领域。

　　从业务互补性来看，银河微电在小信号器件和功率二极管领域具有较强优势，其在半导体分立器件领域深耕多年，产品聚焦小信号二极管、三极管、功率二极管、桥式整流器等技术成熟的品类。近年来，银河微电也在积极布局车用LED灯珠、光电耦合器等光电器件、电源管理IC及第三代半导体（SiC、GaN）器件的产业化落地进程，产品趋向高端化。

　　目前，银河微电已逐步完善产品矩阵，开发出功率MOSFET、IGBT、宽禁带第三代半导体功率器件、IPM模块、ESD、TVS系列产品、功率整流桥、光电耦合器等市场空间广阔的器件类别。而恒泰柯在MOSFET和IGBT领域的优势或将帮助银河微电能够补齐产品短板，完善功率半导体多品类布局。

　　业绩方面，银河微电2025年营业收入10.50亿元，同比增长15.46%，归母净利润7990.47万元，同比增长11.17%；2026年一季度营业收入2.67亿元，同比增长22.37%，归母净利润1830.96万元，同比增长200.15%。

　　关于后续发展方向，银河微电于近期在互动平台回答投资者提问时表示，未来，公司聚焦半导体分立器件主业，重点发展车规级、SiC、功率模块等高端产品，推进产业化基地建设，深化汽车电子、储能等优势市场。公司正围绕战略方向，主动关注和评估潜在的整合机会。

　　股价表现方面，截至6月11日收盘，银河微电股价报46.82元/股，上涨9.26%，总市值60.35亿元。